威兆半导体推出的VS2N7002K是一款面向 60V 低压小信号场景的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT23 小型封装，适配低功率信号开关、电源管理等领域。
一、产品基本信息
- 器件类型：N 沟道增强型小信号 MOSFET
- 核心参数：
- 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压小信号场景；
- 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V、I_D=500mA\)时典型值3Ω；
- 连续漏极电流（\(I_D\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时760mA；
- 最大功率耗散（\(P_D\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时1W。
二、核心特性
- 小型封装：采用 SOT23 封装，适配紧凑型、高密度电路板设计；
- 低阈值电压：栅源阈值电压（\(V_{GS(th)}\)）典型值2.5V@250uA，适配低压驱动场景；
- 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。
三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）
| 参数 | 符号 | 数值（Rating） | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极击穿电压 | \(V_{DSS}\) |
60 | V |
| 栅源极电压 | \(V_{GS}\) |
±20 | V |
| 连续漏极电流 | \(I_D\) |
760 | mA |
| 导通电阻（\(V_{GS}=10V\)） | \(R_{DS(on)}\) |
3 | Ω |
| 栅源阈值电压 | \(V_{GS(th)}\) |
2.5@250uA | V |
| 最大功率耗散 | \(P_D\) |
1 | W |
| 工作 / 存储温度范围 | \(T_J、T_{stG}\) |
-55~+150 | ℃ |
四、封装与应用场景
- 封装形式：SOT23 表面贴装封装，适配小型化电路设计；
- 典型应用：
- 低功率信号开关电路；
- 小型电源管理系统的辅助开关；
- 便携设备的低功耗负载控制。
五、信息来源
威兆半导体官方资料及电子元件商城公开参数（注：以上参数基于公开资料整理，实际以官方数据手册为准。）
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