威兆半导体推出的VSO009N06MS-GA是一款面向 65V 中低压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOP8 封装，适配中低压 DC/DC 转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。
一、产品基本信息
- 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
- 核心参数：
- 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：65V，适配中低压供电场景；
- 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值8mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)时典型值13mΩ，中低压场景下传导损耗可控；
- 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
- \(T=25^\circ\text{C}\)时20A；\(T=70^\circ\text{C}\)时降额为15A；
- 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：60A（\(T=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时大电流需求。
二、核心特性
- VeriMOS® II 技术：实现快速开关特性与高能量转换效率，提升系统功率密度；
- 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 8.3mJ，感性负载开关场景稳定性强；
- 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。
三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）
| 参数 | 符号 | 数值（Rating） | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极击穿电压 | \(V_{DSS}\) |
65 | V |
| 栅源极电压 | \(V_{GS}\) |
±20 | V |
| 二极管连续正向电流 | \(I_S\) |
20 | A |
| 连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)） | \(I_D\) |
\(T=25^\circ\text{C}\): 20；\(T=70^\circ\text{C}\): 15 |
A |
| 脉冲漏极电流 | \(I_{DM}\) |
60 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | \(E_{AS}\) |
8.3 | mJ |
| 最大功耗 | \(P_D\) |
3.1 | W |
| 结 - 引脚热阻（Typ/Max） | \(R_{thJL}\) |
24 / 29 | ℃/W |
| 工作 / 存储温度范围 | \(T_J、T_{stG}\) |
-55~+150 | ℃ |
四、封装与应用场景
- 封装形式：SOP8 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷，适配高密度电路板设计；
- 典型应用：
- 65V 级中低压 DC/DC 转换器开关管；
- 中低压电源的同步整流回路；
- 消费电子、工业设备的中功率负载开关。
五、信息来源
威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）
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